SanDisk teste sa mémoire flash 3D NAND BiCS10 de 1 To

SanDisk vient d'annoncer une avancée significative dans le monde du stockage avec la présentation de ses premiers échantillons (sampling) de mémoire flash 3D NAND BiCS10. Il s'agit de la dixième génération de leur technologie, offrant une capacité de 1 Tb (tétrabit) par puce en TLC (Triple-Level Cell).

Cette nouvelle mémoire flash intègre des techniques de mise à l'échelle latérale avancées pour atteindre une densité de 1 Tb, ce qui représente une amélioration de 59 % de la densité de bits par rapport aux générations précédentes. Elle se distingue également par une vitesse d'interface allant jusqu'à 4,8 Gb/s, soit une hausse de 33 % comparée à la 8ème génération. De plus, la BiCS10 est plus économe en énergie, réduisant la consommation de 10 % pour l'entrée et de 34 % pour la sortie de données par rapport à la BiCS8.

Concrètement, pour les utilisateurs de PC, cela signifie des SSD (disques durs à l'état solide) potentiellement plus rapides, plus denses et plus efficients. Une plus grande densité permet de fabriquer des SSD de plus grande capacité dans des formats plus petits, ou des SSD de même capacité mais à moindre coût. L'amélioration des vitesses d'interface se traduira par des temps de chargement réduits pour les jeux et les applications, et des transferts de fichiers plus rapides, contribuant à une expérience PC encore plus fluide.